Оперативная память
Найдено 1522 товара
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
Оперативная память Kingston 16ГБ DDR5 5600 МГц KSM56R46BS8-16HA
1 982,46 р.руб.
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-42-42-84, напряжение 1.45 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, напряжение 1.35 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA0BB0-CQK
4 098,39 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-44-44-96, напряжение 1.35 В
Оперативная память ADATA Premier AD4S32008G22-BGN
275,03 р.руб.
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Оперативная память HP 8GB DDR4 PC4-21300 879505-B21
1 134,84 р.руб.
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память ADATA 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц AD5S480032G-S
1 312,49 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7600 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-84, напряжение 1.45 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.35 В
Оперативная память Kingston FURY Renegade RGB 24ГБ DDR5 CUDIMM 8400 МГц KF584CU40RSA-24
2 146,20 р.руб.
- 24 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 8400 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52, напряжение 1.45 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-36-36-96, напряжение 1.4 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Оперативная память HP 32GB DDR4 PC4-25600 P06033-B21
2 149,62 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
Оперативная память Crucial 2x32ГБ DDR5 5600 МГц CT2K32G56C46U5
2 937,06 р.руб.
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В
- 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEGY
5 583,06 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M321R4GA3EB0-CWM
4 535,11 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время