Оперативная память
Найдено 1733 товара
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 38T, тайминги 38-44-44, напряжение 1.45 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В
- 1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
Оперативная память Apacer 8ГБ DDR5 5600 МГц FL.08G2C.RKH
506,28 р.руб.
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.25 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-76, напряжение 1.4 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-96, напряжение 1.25 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
- 96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 RGB 2x48ГБ DDR5 6400МГц F5-6400J3239F48GX2-TZ5RW
5 769,44 р.руб.
- 96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-96, напряжение 1.35 В
Оперативная память Silicon-Power Xpower Zenith RGB 2x8ГБ DDR4 3200МГц SP016GXLZU320BDD
1 039,78 р.руб.
- 16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
Оперативная память Team T-Create Expert OC10L 2x16ГБ DDR4 3200 МГц TTCED432G3200HC16FDC01
1 156,91 р.руб.
- 32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В
- 128 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 64 ГБ, частота 6000 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-96, напряжение 1.35 В
Оперативная память AFOX 8ГБ DDR4 2666 МГц AFLD48FH2P
653,59 р.руб.
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-40, напряжение 1.2 В
- 24 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 8400 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52, напряжение 1.45 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.5 В
- 1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 Neo RGB 2x16ГБ DDR5 6400 МГц F5-6400J3039G16GX2-TZ5NRW
2 450,62 р.руб.
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 30T, тайминги 30-39-39-102, напряжение 1.4 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-46-46-76, напряжение 1.25 В
Оперативная память ADATA XPG Lancer Blade 2x16ГБ DDR5 6000 МГц AX5U6000C3616G-DTLABBK
1 705,42 р.руб.
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48, напряжение 1.35 В
- 256 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 64 ГБ, частота 6000 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-96, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 2 модуля, частота 3733 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21-41, напряжение 1.35 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 36-46-46-84, напряжение 1.35 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G40BB3-CWEBY
2 574,48 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 64 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время