Оперативная память
Найдено 1734 товара
- 48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-40-40-100, напряжение 1.4 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, тайминги 52-52-52, напряжение 1.1 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
Оперативная память Patriot Viper 3 Black Mamba 2x8GB KIT DDR3 PC3-14900 (PV316G186C0K)
481,18 р.руб.
- двухканальный (2 модуля), частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 6400 МГц M321R8GA0PB2-CCP
11 321,73 р.руб.
- 64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26, напряжение 1.5 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46, напряжение 1.4 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEBY
2 604,01 р.руб.
- 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- 96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6000 МГц, CL 28T, тайминги 28-40-40-100, напряжение 1.4 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В
- 2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
- 64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
- 2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 Royal 2x32ГБ DDR5 6400 МГц F5-6400J3239G32GX2-TR5S
4 054,61 р.руб.
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
2 358,86 р.руб.
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 RGB 2x16ГБ DDR5 5600МГц F5-5600J4040C16GX2-TZ5RS
3 177,16 р.руб.
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-80, напряжение 1.25 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
- 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
- 1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
- 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
- 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
- 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
Оперативная память AMD Radeon R3 Value Series 4GB DDR3 SODIMM PC3-10600 R334G1339S1S-UO
57,00 р.руб.
- 1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
Оперативная память AMD Radeon R5 Entertainment Series 4ГБ DDR3 SODIMM 1600 МГц R534G1601S1SL-U
58,42 р.руб.
- 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время