Оперативная память
Найдено 1522 товара
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200 МГц M393A8G40CB4-CWE
3 913,14 р.руб.
- 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-46-46-90, напряжение 1.1 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В
- частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
Оперативная память AMD Radeon R9 Gamer Series 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц R948G3206S2S-UO
205,29 р.руб.
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
- 48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В
Оперативная память ADATA XPG Lancer Blade RGB 2x16ГБ DDR5 6000 МГц AX5U6000C3016G-DTLABRBK
1 689,92 р.руб.
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16, напряжение 1.2 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 Neo RGB 2x32ГБ DDR5 6000МГц F5-6000J3036G32GX2-TZ5NRW
4 236,08 р.руб.
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-96, напряжение 1.4 В
![AMD 16GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [R7416G2400S2S-UO]](/content/5/thumbs/1/26/52/1435226/X7th8QB5pP.jpg)
- 1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 5600 МГц M321RYGA0PB0-CWM
12 903,67 р.руб.
- 96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В
- 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.25 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
- 64 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.35 В
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.35 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 CK RGB 2x24ГБ DDR5 CUDIMM 8400 МГц F5-8400C4052G24GX2-TZ5CRK
3 601,51 р.руб.
- 48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8400 МГц, CL 40T, тайминги 40-52-52-134, напряжение 1.4 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 38T, тайминги 38-46-46-76, напряжение 1.25 В
- 96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В
- 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.25 В
- 32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.3 В
- 1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
Оперативная память G.Skill Trident Z5 RGB 2x32ГБ DDR5 6400МГц F5-6400J3239G32GX2-TZ5RW
4 157,67 р.руб.
- 64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В
- 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В
- 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Есть вопросы? Перезвоним вам!
Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время