Мы еще работаем над сайтом 🙂 Цены, наличие и другая информация могут быть неактуальны

Оперативная память Samsung

Найдено 54 товара

Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
  • 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M378A4G43AB2-CWE
  • 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
  • 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEBY
  • 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQK
  • 64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
  • 16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
Samsung 32GB DDR4 PC4-23400 M393A4K40DB2-CVFBY
  • 1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
  • 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
Samsung 64ГБ DDR4 3200 МГц M393A8G40AB2-CWEC0
  • 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
  • 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
  • 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
  • 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVFBY
  • 1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В
Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
  • 32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
  • 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В
Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40DB3-CWEBY
  • 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G40BB3-CWE
  • 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQKZJ
  • 64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В

Есть вопросы? Перезвоним вам!

Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время

Неверный номер
Наверх

Корзина